Дата публикации: 28.03.2023
Авторы: Меньшов В.А., Монаков Ю. В., Валянский А.В.
Авторы: Меньшов В.А., Монаков Ю. В., Валянский А.В.
Источник: Производственно-массовый журнал "Энергетик" №1, 2023
Влияние частоты переключения транзисторов на несинусоидальность напряжения в сетях с трёхфазными IGBT-инверторами
Исследована зависимость несинусоидальности напряжения от частоты коммутации транзисторов.
Показано, что при ограничении спектра выходного напряжения в со ответствии с ГОСТ 32144-2013 верхней границей в 2000 Гц стратегия наращивания частоты переключения (СВТ! с целью уменьшения несинусоидальности напряжения демонстрирует свою высокую эффективность, особенно в диапазоне до 2250 Гц, в то время как при расширении спектра частот увеличение частоты коммутации полупроводников не оправдывает себя ввиду резкого роста динамических потерь.