Мощные лазеры. Туннельный переход вместо полупроводника p-типа

Австралийская компания BluGlass продемонстрировала прототип лазерного диода с туннельным переходом, выполненный с использованием фирменной технологии дистанционного плазменного осаждения из паровой фазы RPCVD (remote plasma chemical vapour deposition). Новинка нацелена на рынки 3D-печати, промышленной сварки и больших дисплеев.

Промышленное применение лазерных диодов на основе нитрида галлия ограничено оптическими и резистивными потерями в полупроводниковом слое p-типа, находящемся над активной областью. Из-за этих потерь КПД прибора оказывается примерно вдвое меньше, чем у лучших нитрид-галлиевых светодиодов.

Компания BluGlass нашла способ избавиться от слоя p-типа, заменив его туннельным переходом и слоем полупроводника n-типа. А поскольку производственный процесс RPCVD идёт при низкой температуре, структуры активной области не перегреваются (читай: сохраняют свои свойства). Изготовлены приборы с зелёным и синим светом излучения.

Хотите оперативно узнавать о выходе других полезных материалов на сайте "ГИС-Профи"?
Подписывайтесь на нашу страницу в Facebook.
Ставьте отметку "Нравится", и актуальная информация о важнейших событиях в энергетике России и мира появится в Вашей личной новостной ленте в социальной сети.